電子束光刻設備原理
?LSI工藝大致可分為設計、預處理和后處理。
在設計階段將電路圖案繪制在掩模版上，在預處理階段在硅晶圓上形成高度集成的電子電路，在后期處理階段從晶圓上切下半導體并將其固定和封裝在預定位置。 - 處理階段。
在設計階段，傳統(tǒng)的 LSI 微電路圖案使用類似于鹵化銀攝影的光學轉(zhuǎn)印技術印刷到掩模版上。
然而，由于光（可見光）的波長約為400nm至700nm，因此不可能將比光的波長更精細的電路印刷到掩模版上。
隨著時間的推移，LSI 變得越來越大，如何將許多電路集中到一個小型 LSI 上已成為研究的主題。
然后電子束出現(xiàn)了。
電子束的波長為0.012 nm，加速電壓為10 kV，因此可以繪制比光更精細的電路圖案。
然而，為了繪制高度精細的電路圖案，需要一種能夠高精度瞄準電子束的裝置。
為此開發(fā)了電子束光刻系統(tǒng)作為設備。
電子束光刻系統(tǒng)有兩種類型：光柵掃描（一種像電視上的像素一樣排列點的方法）和矢量掃描（一種填充圓形和矩形等形狀的方法）。
這種電子束光刻系統(tǒng)使得在掩模版上繪制高清電路圖案成為可能。